Isamu Akasaki

Vun Wikipedia
Zur Navigation springen Zur Suche springen

Isamu Akasaki (japaansch 赤崎 勇, Akasaki Isamu; * 30. Januar 1929 in de Präfektur Kagoshima) is en japaansch Wetenschapler, de 1989 eerstmals blau Lüchtdioden, footend up den p-n-Övergang mit dat Halfleitermaterial Galliumnitrid herstellt hett.[1] He kreeg dorför 2011 de vun dat IEEE vergeven UtteknungIEEE Edison Medal.[2] 2014 wurr he gemeensam mit Hiroshi Amano un Shuji Nakamura mit den Nobelpries för Physik uttekent.

Leven un Wark[ännern | Bornkood ännern]

Isamu Akasaki studeer tonächst bit 1952 Elektrotechnik an de Universität Kyōto, dornah kreeg he den Doktertitel an de Universität Nagoya. Eerste Arbeiten in den Beriek vun de Optoelektronik un Lüchtdioden hett he in de laat 1960er un 1970er Johren maakt, ünner annern bi Firmen as Matsushita, wo he de metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) to dat Herstellen vun Kristallen ut Galliumnitrid bruuken dee.[3] 1981 un in de Folgejohren, nu weer an de Universität Nagoya, hett he de MOVPE to dat Herstellen vun hoochrein Eenkristalle ut Galliumnitrid (GaN) up en Saphir as Substrat insett. Disse hoochrein GaN kunn he in de Folg mit Magnesium p-doteeeren, to de n-Doteeren keem Silicium to'n Insatz, so dat he in de Summ en p-n-Övergang mit GaN herstellen kunn, de as direkt Halfleiter en Bandlücke in den blau-grönen Farvberiek upwiest. Dormit gelung hüm 1989 de Herstellen vun de eerste effiziente Lüchtdiode.[4][1] Vörher geev dat blots blau LEDs, de up den indirekten Halfleiter Siliciumcarbid footen dee. Disse LEDs keemen all in de 1970er Johren up den Markt, kunnen sück aber wegen hör minn Effizienz nie dörsetten.

Utteknungen (Utwahl)[ännern | Bornkood ännern]

Enkeld Nahwiesen[ännern | Bornkood ännern]

  1. a b Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu and Isamu Akasaki, "P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 28 (1989) L2112-L2114, Vörlaag:Doi
  2. http://www.ieee.org/documents/edison_rl.pdf, IEEE Edison Medal Recipients, IEEE, van' 23. Februar 2011, PDF; 151 kB}}
  3. Isamu Akasaki1 and Hiroshi Amano, "Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p–n Junction Blue-Light-Emitting Diode", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 45 (2006) 9001-9010, Vörlaag:Doi
  4. Applied Physics Letters, Volume 48, Issue 5, pp. 353-355