Hiroshi Amano

Vun Wikipedia
Zur Navigation springen Zur Suche springen

Hiroshi Amano (japaansch 天野 浩, Amano Hiroshi; * 11. September 1960 in Hamamatsu) is en japaansch Physiker, de 1989 eerstmals blau Lüchtdioden, footend up den p-n-Övergang mit dat Halfleitermaterial Galliumnitrid (GaN), herstellt hett. 2014 wurr he dorför gemeensam mit Isamu Akasaki un Shuji Nakamura mit den Nobelpries för Physik uttekent.

Leven[ännern | Bornkood ännern]

Amano hett 1983 un 1985 en Bachelor respektive en Master an de Universität Nagoya kreegen, 1989 kreeg he dor sien Doktertitel. 1988 fung he as wetenschaplich Mitarbeiter an de Universität Nagoya an to arbeiten, ehe he 1992 en Roop as Assistant Professor an de Meijō-Universität annehm. 1998 wurr Amano dor to'n Associate Professor befördert un kreeg in' April 2002 en ordentliche Professur. Siet 2010 is he Perfesser an de Graduate School of Engineering vun de Universität Nagoya.

Siet 1982 weer Amano Liddmaat vun de Grupp um Isamu Akasaki un forsch sietdem an dat Wasdom, de Charakteristik un Anwennen vun Galliumnitrid Halfleitern. He hett mehr as 390 wetenschaplich Publikatschonen (mit)verfaat un hett Bidrääg to 17 Böker leefert.

Den Nobelpries kreeg he för sien Tosommenarbeit mit Akasaki an de Universität Nagoya. De Eegnung vun GaN as Material för de lang söcht Lüchtdioden un Halfleiterlaser in den blauen Beriek vun dat Spektrum weer all langer bekannt (se hemm en groot Bandlücke in' UV Beriek), dat Problem weer de Herstellung vun Kristallen mit goot optisch Eegenschapen ut dit Material. Dat gelung Enn' vun de 1980er un Anfang vun de 1990er Johren sowohl Akasaki un Amano as ok unafhängig Nakamura bi de Nichia Corporation. Beid Gruppen hemm dorto de Afscheeden vun dünn Filme ut de Gasphase (Metallorganische Gasphasenepitaxie, Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, MOVPE) bruukt. Buterdem hemm se wiedere Probleme överwunnen, as de p-Doteeren vun GaN. Akasaki un Amano full in dissen Tosommenhang up, dat mit Zink doteerte GaN Kristalle ünner dat Elektronenmikroskop heller lüchten deen, wat en Henwies dorup weer, dat Elektronenbestrahlen bi de Doteeren nützlich weer. Later hemm se Magnesium to de p-Doteeren un för de n-doteerten Schichten in de Heterostrukturen vun de Lüchtdioden wurr Silizium bruukt. Blau Lüchtdioden hemm wesentliche Fortschritte in de Ünnerhollenselektronik (Blu Ray DVD, Farv-Flachbildscherme) mögelk maakt.

Böker[ännern | Bornkood ännern]

  • H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, Y. Toyoda Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer, Applied Physics Letters, Band 48, 1986, S. 353
  • Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu, Isamu Akasaki: P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI), Jpn. J. Appl. Phys. Band 28, 1989, L2112-L2114,
  • Isamu Akasaki,Hiroshi Amano, "Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p–n Junction Blue-Light-Emitting Diode", Jpn. J. Appl. Phys. , Band 45, 2006, S. 9001-9010
  • Herutgever mit James H. Edgar, Samuel Strite, I. Akasaki, C. Wetzel: Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors, EMIS Datareviews Series Nr. 23, Institution of Engineering and Technology, 1998, ISBN 978-0852969533
  • Herutgever: Proceedings 5th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5) : Nara, Japan, 25 - 30 May 2003, Physica Status Solidi C, Wiley-VCH 2003
  • mit T. Kawashima, D. Iida, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki Metalorganic vapor phase epitaxial growth of nonpolar Al (Ga, In) N Films on lattice-mismatched substrates, in: Tanya Paskova (Hrsg.), Nitrides with Nonpolar Surfaces, Wiley-VCH Verlag, 2008, S. 101-118
  • Herutgever mit Tae-Yeon Seong, Jung Han: III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Applications, Introduction Part A. Progress and Prospect of Growth of Wide-Band-Gap III-Nitrides, Springer 2013, ISBN 978-9400758629

Utteknungen[ännern | Bornkood ännern]

  • 1994: Fifth Optoelectronics Conference A Special Award
  • 1996: IEEE/LEOS Engineering Achievement Award
  • 1998: Japanese Journal of Applied Physics Award for the best review paper (mit Isamu Akasaki)
  • 1998: British Rank Prize (mit Isamu Akasaki un Shuji Nakamura)
  • 2001: Takeda Award[1]
  • 2001: Marubun Academic Award
  • 2003: Solid State Devices and Materials Conference Paper Award
  • 2009: Nistep (National Institute of Science and Technology Policy) Researcher from the Ministry of Education of Japan
  • 2011: Fellow am Institute of Physics, London
  • 2014: APEX/JJAP Editorial Contribution Award der Japan Society of Applied Physics
  • 2014: Nobelpries för Physik gemeensam mit Isamu Akasaki un Shuji Nakamura

Enkeld Nahwiesen[ännern | Bornkood ännern]

  1. http://www.takeda-foundation.jp/en/award/takeda/2002/recipient/02.html, The Takeda Award, engelsch, afropen an' 14. Oktober 2014

Weblenken[ännern | Bornkood ännern]